AMB Substrate Technology
AMB 基板
ラインナップ
Si₃N₄・AlN セラミックスと活性金属ロウ付け（AMB）技術により、SiC/GaN パワーデバイスの放熱性能を最大化。お客様の基板図面を基に、ご予算に合わせた最適な基板をご提案します。
Product Lineup
製品ラインナップ
Power-S
≥40
W/m·K · Si₃N₄
Al₂O₃-DBC 代替
低コスト・量産対応グレード。アルミナ DBC の代替として最適。
世界で唯一！
WSP65
65
W/m·K · Si₃N₄
ZTA-DBC 代替
世界唯一グレード。PCIM Europe 2024 展示製品。
世界で唯一！
WSP90
90
W/m·K · Si₃N₄
コスト効率グレード
SiC パワーモジュール標準採用グレード。量産実績あり。
WSP130
130
W/m·K · Si₃N₄
次世代超高放熱
最高熱伝導率・最高信頼性グレード。次世代 SiC モジュールに最適。
★ 開発中
WSP150
150
W/m·K · Si₃N₄
次世代フラッグシップ
最高熱性能グレード。現在開発中。詳細はお問い合わせください。
Specification Matrix
基板仕様マトリクス
グレード基板材料熱伝導率ポジショニング
Power-S
Si₃N₄ AMB
窒化ケイ素 · 活性金属ロウ付け
≥40W/m·K
Al₂O₃-DBC 代替・低コスト量産
WSP65
Si₃N₄ AMB
窒化ケイ素 · 活性金属ロウ付け
65W/m·K
ZTA/DBC からのアップグレード
WSP90
Si₃N₄ AMB
窒化ケイ素 · 活性金属ロウ付け
90W/m·K
SiC モジュール標準仕様
WSP130
Si₃N₄ AMB
窒化ケイ素 · 活性金属ロウ付け
130W/m·K
次世代超高放熱・高信頼性
★
WSP150（150 W/m·K）現在開発中 — 最高熱伝導率グレード、詳細はお問い合わせください
Ceramic Material Properties
セラミック材料特性比較
DBC Al₂O₃
曲げ強度400 MPa
破壊靱性3.0
熱伝導率24 W/mK
熱膨張係数7.0
DBC ZTA
曲げ強度650 MPa
破壊靱性3.5
熱伝導率28 W/mK
熱膨張係数7.0
AMB AlN
曲げ強度450 MPa
破壊靱性3.0
熱伝導率170 W/mK
熱膨張係数4.6
Si₃N₄
★ Winspower
曲げ強度700 MPa
破壊靱性6.5
熱伝導率90 W/mK
熱膨張係数2.6
★ Winspower は Si₃N₄ AMB に特化。高破壊靭性・高曲げ強度・低 CTE で EV 車載インバータに最適。
Manufacturing Process
製造プロセス
01
材料
セラミック
Cu 箔
Cu 箔
›
02
ペースト印刷
活性金属
ペースト
ペースト
›
03
真空溶接
高温炉
接合
接合
›
04
エッチング
回路
パターン
パターン
›
05
めっき
Ag / Ni / Au
対応
対応
›
06
検査
AOI / 絶縁
テスト
テスト
▶ 全工程インハウス生産 — 材料から外観検査まで一貫生産